Czesław Skierbiszewski
| Państwo działania |
|
|---|---|
| Data i miejsce urodzenia | 19 maja 1960 |
| profesor doktor habilitowany nauk fizycznych | |
| Specjalność: fizyka ciała stałego | |
| Alma Mater | Uniwersytet Warszawski |
| Profesura | 16 czerwca 2015 |
| Praca zawodowa | |
| Instytut | Wysokich Ciśnień PAN |
| Strona internetowa | |
Czesław Dariusz Skierbiszewski (ur. 19 maja 1960 w Opolu) – profesor fizyki. Twórca i lider grupy badawczej zajmującej się epitaksją z wiązek molekularnych (ang. molecular beam epitaxy – MBE) w Instytucie Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN).
Życiorys
Ukończył studia na Wydziale Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego w 1984. Stopień naukowy doktora uzyskał w Instytucie Fizyki PAN. Praca doktorska dotyczyła kondesacji Wignera naładowanej sieci domieszek w HgFeSe. Stopień doktora habilitowanego uzyskał w Instytucie Fizyki PAN za badania półprzewodników z rodziny GaAs domieszkowanych azotem, tzw. „dilluted nitrides”[1]. W 2015 otrzymał tytuł profesora nauk fizycznych[2]. Do jego najważniejszych osiągnięć w tej dziedzinie należy wyznaczenie nieparaboliczności pasma przewodnictwa i zależności masy efektywnej[1] w InGaNAs od zawartości azotu oraz od koncentracji elektronów.
Czesław Skierbiszewski jest twórcą i liderem grupy badawczej zajmującej się epitaksją z wiązek molekularnych (MBE) w Instytucie Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk. W 2004 roku zademonstrował pierwszą w świecie niebieską azotkową diodę laserową otrzymaną metodą epitaksji z wiązek molekularnych[3]. Dalszy rozwój tej technologii umożliwił pokazanie diod laserowych o bardzo długim czasie pracy powyżej 100 000 h[4].
Jest autorem ponad 140 publikacji w renomowanych czasopismach z dziedziny fizyki i inżynierii materiałowej.
Profesor Czesław Skierbiszewski jest na liście 2% najbardziej cytowanych naukowców "World Ranking Top 2% Scientists"[5] opracowanej przez Uniwersytet Stanforda, wydawnictwo Elsevier i firmę SciTech Strategies.
Przypisy
- ↑ a b C.C. Skierbiszewski C.C. i inni, Large, nitrogen-induced increase of the electron effective mass in InyGa1−yNxAs1−x, „Applied Physics Letters”, 76 (17), 2000, s. 2409–2411, DOI: 10.1063/1.126360, ISSN 0003-6951 [dostęp 2023-02-07] .
- ↑ Postanowienie Prezydenta Rzeczypospolitej Polskiej z dnia 16 czerwca 2015 r. nr 115.9.2015 w sprawie nadania tytułu profesora (M.P. z 2015 r. poz. 648).
- ↑ C.C. Skierbiszewski C.C. i inni, Blue-violet InGaN laser diodes grown on bulk GaN substrates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy, „Applied Physics Letters”, 86 (1), 2005, s. 011114, DOI: 10.1063/1.1846143, ISSN 0003-6951 [dostęp 2023-02-09] .
- ↑ G.G. Muziol G.G. i inni, Extremely long lifetime of III-nitride laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy, „Materials Science in Semiconductor Processing”, 91, 2019, s. 387–391, DOI: 10.1016/j.mssp.2018.12.011, ISSN 1369-8001 [dostęp 2023-02-09] (ang.).
- ↑ JeroenJ. Baas JeroenJ., September 2022 data-update for "Updated science-wide author databases of standardized citation indicators", Elsevier BV, 10 października 2022, DOI: 10.17632/btchxktzyw.4 [dostęp 2023-02-17] .
Linki zewnętrzne
- Czesław Skierbiszewski, [w:] baza „Ludzie nauki” portalu Nauka Polska (OPI PIB) [dostęp 2023-02-07] .
- Link do strony grupy MBE w Instytucie Wysokich Ciśnień PAN
